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10:00-10:10
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開会の挨拶 |
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10:10-10:40
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III-V/Si異種基板集積技術と光デバイス特性
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西山伸彦 （東工大）
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10:40-11:10
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ウェハ接合技術によるシリコン上化合物半導体量子ドットレーザ
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田辺克明 （東大）
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11:10-11:40
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有機EOポリマー／Si融合集積フォトニクスと深紫外LEDナノ光取出し技術
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井上振一郎 （NICT）
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11:40-13:00
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＜昼食休憩（80分）＞
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13:00-13:40
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【基調講演】光通信部品材料技術の現状と今後の展望
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鈴木扇太 （NTT）
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13:40-14:10
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光通信素子における透磁率制御の可能性
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雨宮智宏 （東工大）
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14:10-14:40
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強誘電体材料の切削加工によるリッジ型光導波路
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多喜川良 （九大）
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14:40-15:00
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＜休憩（20分）＞
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15:00-15:40
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【特別講演】エアロゾルデポジション法による常温セラミックスコーティングと応用展開
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明渡 純 （産総研）
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15:40-16:10
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Siフォトニクスへのグラフェン単層膜装荷と新機能発現
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中島啓幾 （早大）
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16:10-16:40
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プラズモン・ナノレーザーによる超高感度ガス分子センシング
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太田禎生 （東大）
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16:40-16:50
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閉会の挨拶
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参 加 費：一般 4,000 円、学生・シニア 1,000 円 （資料代含む．当日ご持参ください）
参加申込：不要 （直接会場にお越しください）
担当委員：坂井（リコー）、片山（福工大）、波多腰（元 東芝）、中島（早大）、小路（住友電工）
問合せ先：住友電気工業株式会社 伝送デバイス研究所 小路 元
Tel: 045-851-2174 Fax: 045-852-2913
E-mail: shoji-hajime■sei.co.jp（■を@に変えてください．）
微小光学研究会：
| 代表：伊賀健一 | 運営委員長：中島啓幾 | 実行委員長：横森清 |
| 副代表：後藤顕也 | 運営副委員長：波多腰玄一 | 実行副委員長：宮本智之 |
last update: March 16, 2015